P-канальний MOSFET транзистор Vishay SQ4005EY-T1_BE3 12V 15A SOIC-8 TrenchFET

Професійний силовий P-канальний польовий MOSFET транзистор збагаченого типу серії TrenchFET SQ2500 від Vishay Semiconductors у стандартному корпусі SOIC-8 для поверхневого SMT монтажу

Високоефективний P-канальний польовий транзистор автомобільного та промислового класу SQ4005EY-T1_BE3 розроблений провідним світовим виробником Vishay Semiconductors за передовою технологією TrenchFET. Модуль призначений для використання у схемах керування живленням, комутації навантаження з високої сторони High-Side Switch, перетворювачах напруги DC-DC, захисті від зворотної полярності та системах керування живленням портативної та автоелектроніки.

Транзистор розрахований на максимальну напругу сток-витік 12 Вольт та постійний струм стоку до 15 Ампер. Завдяки технології TrenchFET, пристрій володіє наднизьким опором відкритого каналу всього 13 Міліом, що суттєво знижує теплові втрати при проходженні високих струмів. Порогова напруга відкриття затвора становить лише 1 Вольт, що дозволяє впевнено керувати транзистором низьковольтними логічними сигналами.

Транзистор володіє відмінними динамічними характеристиками: час наростання становить 33 наносекунди, час спаду 30 наносекунд, типова затримка ввімкнення 19 наносекунд, а затримка вимкнення 73 наносекунди при загальному заряді затвора 29 Нанокулон. Пристрій виконано у корпусі SOIC-8 для планарного SMT монтажу та розраховано на розсіювану потужність до 6 Ватт у розширеному температурному діапазоні від мінус 55 до плюс 175 градусів Цельсія.

Технічні характеристики для налаштування фільтрів:

• Виробник та бренд: Vishay Semiconductors

• Артикул деталі: SQ4005EY-T1_BE3

• Торговий номер виробника: SQ4005EY-T1

• Фірмова серія та технологія: TrenchFET серія SQ2500

• Структура та тип напівпровідника: P-канальний MOSFET

• Технологічний режим: збагачений тип Enhancement Mode

• Полярність транзистора: P-Channel

• Кількість каналів у корпусі: 1 канал

• Гранична напруга сток-витік: 12 Вольт

• Максимальний постійний струм стоку: 15 Ампер

• Опір у відкритому стані: 13 Міліом

• Гранична напруга затвор-витік: від мінус 8 до плюс 8 Вольт

• Порогова напруга відкриття затвора: 1 Вольт

• Повний заряд затвора: 29 Нанокулон

• Час наростання сигналу: 33 наносекунди

• Час спаду сигналу: 30 наносекунд

• Типовий час затримки ввімкнення: 19 наносекунд

• Типовий час затримки вимкнення: 73 наносекунди

• Максимальна розсіювана потужність: 6 Ватт

• Тип виконання корпусу: SOIC-8

• Спосіб монтажу на плату: SMT поверхневий монтаж

• Мінімальна робоча температура: мінус 55 градусів Цельсія

• Максимальна робоча температура: плюс 175 градусів Цельсія

• Відповідність екологічним стандартам: RoHS compliant

• Стан виробу: новий

Ключові переваги:

• Наднизький опір каналу 13 мОм: Мінімізує втрати потужності та нагрів плати при роботі під струмом до 15 Ампер.

• Низька порогова напруга 1V: Дозволяє відкривати ключ низьковольтними сигналами безпосередньо від мікроконтролерів.

• Розширений температурний діапазон до +175°C: Гарантує стабільну роботу в жорстких автомобільних та промислових умовах.

• Преміальна технологія Vishay TrenchFET: Забезпечує високу надійність та швидку динаміку перемикання ключів.

Комплект постачання:

• P-канальний MOSFET транзистор Vishay SQ4005EY-T1_BE3 SOIC-8 — 1 штука.

• Заводське антистатичне паковання або стрічка — 1 штука.