P-канальний MOSFET транзистор ROHM RSS090P03 30V 9A 2W SO-8 SMD

Професійний силовий P-канальний польовий MOSFET транзистор RSS090P03 від провідного японського виробника ROHM Semiconductor у стандартному корпусі SO-8 для поверхневого SMD монтажу

Високоефективний P-канальний польовий транзистор RSS090P03 розроблений компанією ROHM Semiconductor для використання у схемах керування живленням, комутації навантаження з високої сторони, перетворювачах напруги DC-DC, захисті від зворотної полярності живлення та силових електронних ключах у сучасній цифровій електроніці.

Транзистор розрахований на максимальну напругу пробою сток-витік 30 Вольт та тривалий постійний струм стоку до 9 Ампер при температурі корпусу 25 градусів Цельсія. У короткочасному імпульсному режимі пристрій витримує струм стоку до 36 Ампер. Гранична напруга затвор-витік становить 20 Вольт. Завдяки низькому внутрішньому опору, транзистор має опір у відкритому стані всього 0.014 Ом при напрузі керування затвора 10 Вольт та 0.021 Ом при напрузі затвора 4.5 Вольта, що мінімізує втрати потужності на нагрів.

Повний заряд затвора пристрою становить 39 Нанокулон, що забезпечує високу швидкість перемикання ключа та знижує динамічні втрати. Транзистор виконано в класичному восьмививідному корпусі SO-8 для планарного SMD монтажу та розраховано на розсіювану потужність до 2 Ватт при температурі 25 градусів Цельсія.

Технічні характеристики для налаштування фільтрів:

• Виробник та бренд: ROHM Semiconductor

• Артикул деталі: RSS090P03

• Структура та тип напівпровідника: P-канальний MOSFET

• Полярність транзистора: P-Channel

• Спосіб монтажу на плату: SMD поверхневий монтаж

• Напруга пробою сток-витік: 30 Вольт

• Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 Вольт

• Максимальний постійний струм стоку при 25 градусах Цельсія: 9 Ампер

• Максимальний імпульсний струм стоку: 36 Ампер

• Опір сток-витік у відкритому стані при Vgs 10V: 0.014 Ом

• Опір сток-витік у відкритому стані при Vgs 4.5V: 0.021 Ом

• Повний заряд затвора: 39 Нанокулон

• Максимальна розсіювана потужність при 25 градусах Цельсія: 2 Ватта

• Тип виконання корпусу: SO-8 або SO8

• Кількість виводів корпусу: 8 контактів

• Сфера застосування: силові ключі, конвертери DC-DC, комутація навантаження

• Конструктивне виконання: дискретний напівпровідник

• Стан виробу: новий

Ключові переваги:

• Низький опір відкритого каналу 0.014 Ом: Забезпечує високий ККД та мінімальне виділення тепла при струмах до 9 Ампер.

• Робота від логічного рівня 4.5V: Дозволяє керувати транзистором низьковольтними сигналами з опором всього 0.021 Ом.

• Високий імпульсний струм до 36A: Гарантує надійність пристрою при пускових струмах та короткочасних перевантаженнях.

• Японська якість ROHM Semiconductor: Забезпечує стабільність електричних параметрів та високу надійність у роботі.

Комплект постачання:

• P-канальний MOSFET транзистор ROHM RSS090P03 SO-8 — 1 штука.

• Заводське антистатичне паковання або стрічка — 1 штука.