Транзистор FQD2N60C (600V, 1.9A, TO-252) — N-канальний MOSFET

Високовольтний MOSFET FQD2N60C (2A, 600V, TO-252) — N-канальний ключ

FQD2N60C — це надійний N-канальний польовий транзистор, розроблений для високовольтних перетворювачів напруги та систем керування живленням. Завдяки високій напрузі пробою (600В) та оптимізованим характеристикам перемикання, він забезпечує стабільну роботу в імпульсних схемах, де важливі мінімальні втрати та компактні габарити пристрою.

Технічні характеристики:

• Тип каналу: N-channel.

• Максимальна напруга стік-виток: 600 В.

• Постійний струм стоку: 1.9 А (при $T_C = 25°C$).

• Імпульсний струм стоку : до 7.6 А.

• Опір у відкритому стані: ~4.7 Ом.

• Заряд затвора: низький (типово 8.5 нКл) для швидкого перемикання.

• Корпус: TO-252 (DPAK) для SMD монтажу.

Ключові переваги:

• Низький рівень тепловиділення: Оптимізована структура кристала дозволяє зменшити статичні та динамічні втрати потужності.

• Висока надійність: Покращена здатність витримувати високі значення напруги затвор-виток та стійкість до шумів.

• Швидкодія: Низька вхідна ємність забезпечує роботу на високих частотах, що дозволяє зменшити габарити індуктивних компонентів у схемі.

• Зручність монтажу: Стандартний корпус DPAK сумісний із більшістю сучасних платформ для автоматичного складання електроніки.