IGBT-транзистор 40T120FES ( MBQ40T120FES ) (Заміна для 40T120FDS , MBQ40T120FDS , 40T120FDHA , MBQ40T120FDHA , IGW40T120
100 ₴
- В наявності
- Код: 3459
IGBT-транзистор 40T120FES ( MBQ40T120FES ) (Заміна для 40T120FDS , MBQ40T120FDS , 40T120FDHA , MBQ40T120FDHA , IGW40T120В наявності
100 ₴
+380 (63) 613-08-10
менеджерповернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор 40T120FES (MBQ40T120FES) (Заміна для 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA,
IGBT-транзистор для електронних пристроїв 40T120FES (MBQ40T120FES) (Заміна для 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA, IGW40T120 ) (40A,1200V), TO247
Характеристики:
| Напруга колектор-іміттер (UCES), В | 1200 | |
| Максимально допустимий струм колектора (Ic), А | 80 | |
| Максимально допустимий струм колектора за 100 °C (Ic(100°C)), А | 40 | |
| Максимальна потужність (Pмакс), Вт | 357 | |
| Напруга насичення колектор-емітер (UCE(on)), В | 2 | |
| Максимальний імпульсний струм колектора (Icm), А | 160 | |
| Наявність діода | є | |
| Максимальний імпульсний струм діода (IFm), А | 160 | |
| Максимальний прямий струм діода (IF), А | 40 | |
| Маркування | 40T120FES | |
| Час спаду (tof), нс | 308 | |
| Час наростання (ton), нс | 35 | |
| Повний заряд затвора, нКл | 341 | |
| Час спускання діода (trr), нс | 100 |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Без бренду |
| Країна виробник | Китай |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 100 ₴