P-канальный MOSFET транзистор Vishay SQ4005EY-T1_BE3 12V 15A SOIC-8 TrenchFET

Профессиональный силовой P-канальный полевой MOSFET транзистор обогащенного типа серии TrenchFET SQ2500 от Vishay Semiconductors в стандартном корпусе SOIC-8 для поверхностного SMT монтажа Высокоэффективный P-канальный полевой транзистор автомобильного и промышленного класса SQ4005EY-T1_BE3 разработан ведущим мировым производителем Vishay Semiconductors по передовой технологии TrenchFET. Модуль предназначен для использования в схемах управления питанием, коммутации нагрузки с высокой стороны High-Side Switch, преобразователях напряжения DC-DC, защите от обратной полярности и системах управления питанием портативной и автоэлектроники. Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 12 Вольт и постоянный ток стока до 15 Ампер. Благодаря технологии TrenchFET, устройство обладает сверхнизким сопротивлением открытого канала всего 13 Миллиом, что существенно снижает тепловые потери при прохождении высоких токов. Пороговое напряжение открытия затвора составляет всего 1 Вольт, что позволяет уверенно управлять транзистором низковольтными логическими сигналами. Транзистор обладает отличными динамическими характеристиками: время нарастания составляет 33 наносекунды, время спада 30 наносекунд, типичная задержка включения 19 наносекунд, а задержка выключения 73 наносекунды при общем заряде затвора 29 Нанокулон. Устройство выполнено в корпусе SOIC-8 для планарного SMT монтажа и рассчитано на рассеиваемую мощность до 6 Ватт в расширенном температурном диапазоне от минус 55 до плюс 175 градусов Цельсия. Технические характеристики для настройки фильтров:

Производитель и бренд: Vishay Semiconductors Артикул детали: SQ4005EY-T1_BE3 Торговый номер производителя: SQ4005EY-T1 Фирменная серия и технология: TrenchFET серия SQ2500 Структура и тип полупроводника: P-канальный MOSFET Технологический режим: обогащенный тип Enhancement Mode Полярность транзистора: P-Channel Количество каналов в корпусе: 1 канал Предельное напряжение сток-исток: 12 Вольт Максимальный постоянный ток стока: 15 Ампер Сопротивление в открытом состоянии: 13 Миллиом Предельное напряжение затвор-исток: от минус 8 до плюс 8 Вольт Пороговое напряжение открытия затвора: 1 Вольт Полный заряд затвора: 29 Нанокулон Время нарастания сигнала: 33 наносекунды Время спада сигнала: 30 наносекунд Типичное время задержки включения: 19 наносекунд Типичное время задержки выключения: 73 наносекунды Максимальная рассеиваемая мощность: 6 Ватт Тип исполнения корпуса: SOIC-8 Способ монтажа на плату: SMT поверхностный монтаж Минимальная рабочая температура: минус 55 градусов Цельсия Максимальная рабочая температура: плюс 175 градусов Цельсия Соответствие экологическим стандартам: RoHS compliant Состояние изделия: новый Ключевые преимущества: Сверхнизкий сопротивление канала 13 мОм: Минимизирует потери мощности и нагрев платы при работе под током до 15 Ампер. Низкое пороговое напряжение 1V: Позволяет открывать ключ низковольтными сигналами непосредственно от микроконтроллеров. Расширенный температурный диапазон до +175°C: Гарантирует стабильную работу в жестких автомобильных и промышленных условиях. Премиальная технология Vishay TrenchFET: Обеспечивает высокую надежность и быструю динамику переключения ключей. Комплект поставки: P-канальный MOSFET транзистор Vishay SQ4005EY-T1_BE3 SOIC-8 — 1 штука. Заводская антистатическая упаковка или лента — 1 штука.