P-канальный MOSFET транзистор ROHM RSS090P03 30V 9A 2W SO-8 SMD

Профессиональный силовой P-канальный полевой MOSFET транзистор RSS090P03 от ведущего японского производителя ROHM Semiconductor в стандартном корпусе SO-8 для поверхностного SMD

Монтажа Высокоэффективный P-канальный полевой транзистор RSS090P03 разработан компанией ROHM Semiconductor для использования в схемах управления питанием, коммутации нагрузки с высокой стороны, преобразователях напряжения DC-DC, защите от обратной полярности питания и силовых электронных ключах в современной цифровой электронике. Транзистор рассчитан на максимальное напряжение пробоя сток-исток 30 Вольт и длительный постоянный ток стока до 9 Ампер при температуре корпуса 25 градусов Цельсия. В кратковременном импульсном режиме устройство выдерживает ток стока до 36 Ампер. Предельное напряжение затвор-исток составляет 20 Вольт. Благодаря низкому внутреннему сопротивлению, транзистор имеет сопротивление в открытом состоянии всего 0.014 Ом при напряжении управления затвора 10 Вольт и 0.021 Ом при напряжении затвора 4.5 Вольта, что минимизирует потери мощности на нагрев. Полный заряд затвора устройства составляет 39 Нанокулон, что обеспечивает высокую скорость переключения ключа и снижает динамические потери. Транзистор выполнен в классическом восьмивыводном корпусе SO-8 для планарного SMD монтажа и рассчитан на рассеиваемую мощность до 2 Ватт при температуре 25 градусов Цельсия. Технические характеристики для настройки фильтров:

Производитель и бренд: ROHM Semiconductor Артикул детали: RSS090P03 Структура и тип полупроводника: P-канальный MOSFET Полярность транзистора: P-Channel Способ монтажа на плату: SMD поверхностный монтаж Напряжение пробоя сток-исток: 30 Вольт Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 Вольт Максимальный постоянный ток стока при 25 градусах Цельсия: 9 Ампер Максимальный импульсный ток стока: 36 Ампер Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при Vgs 10V: 0.014 Ом Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при Vgs 4.5V: 0.021 Ом Полный заряд затвора: 39 Нанокулон Максимальная рассеиваемая мощность при 25 градусах Цельсия: 2 Ватта Тип исполнения корпуса: SO-8 или SO8 Количество выводов корпуса: 8 контактов Сфера применения: силовые ключи, конвертеры DC-DC, коммутация нагрузки Конструктивное исполнение: дискретный полупроводник Состояние изделия: новый Ключевые преимущества: Низкое сопротивление открытого канала 0.014 Ом: Обеспечивает высокий КПД и минимальное выделение тепла при токах до 9 Ампер. Работа от логического уровня 4.5V: Позволяет управлять транзистором низковольтными сигналами с сопротивлением всего 0.021 Ом. Высокий импульсный ток до 36A: Гарантирует надежность устройства при пусковых токах и кратковременных перегрузках. Японское качество ROHM Semiconductor: Обеспечивает стабильность электрических параметров и высокую надежность в работе. Комплект поставки: P-канальный MOSFET транзистор ROHM RSS090P03 SO-8 — 1 штука. Заводская антистатическая упаковка или лента — 1 штука.