Транзистор TGAN60N60F2DS TGAN60N60F2 TO-3PN силовой для инверторов преобразователей зарядных станций
110 ₴
- Готово к отправке
- Код: 3420
Транзистор TGAN60N60F2DS TGAN60N60F2 TO-3PN силовой для инверторов преобразователей зарядных станцийГотово к отправке
110 ₴
+380 (63) 613-08-10
менеджервозврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор оригинальный TGAN60N60F2DS. TGAN 60N60F2DS, TGAN60N60F2,
Технические параметры :
| Напряжение коллектор эмиттер (UCES), В | 600 | |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 120 | |
| Максимально допустимый ток коллектора при 100°C (Ic(100°C)), А | 60 | |
| Максимальная мощность (Pмакс), Вт | 357 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UCE(on)), В | 1.75 | |
| Наличие диода | есть | |
| Максимальный импульсный ток диода (IFm), А | 200 | |
| Максимальный прямой ток диода (IF), А | 60 | |
| Время спада (tof), нс | 94 | |
| Время нарастания (ton), нс | 29 | |
| Полный заряд затвора, нКл | 150 | |
| Время восcтановления диода (trr), нс | 58 |
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | Без бренда |
| Состояние | Новое |
| Страна производитель | Китай |
Информация для заказа
- Цена: 110 ₴