| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 50 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 25 А |
| Макс. постоянный ток диода (25°С) | 50 А |
| Макс. постоянный ток диода (100°С) | 25 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 235 / 300 нс |
| Мощность рассеяния при 25°C | 312 Вт |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Nobrand |
Информация для заказа
- Цена: 50 ₴


